2018年9月11日 星期二

紫光表示在DRAM設計方面已達到世界主流水平




文章摘要: 年底將會量產32層堆疊64Gb的3D NAND快閃記憶體紫光記憶體 目前紫光旗下記憶體還主要以DDR3為主


​​在國產記憶體這條道路上,紫光是佼佼者。前段時間紫光國產記憶體成為焦點,而如今紫光將重點放在了DDR4上,並對外表示,在DRAM技術上,紫光已經達到了世界主流水平,但問題在於,產品可能無法保證,銷售也可能不會太大。


紫光也對外公佈了記憶體專案進度:目前處在研發階段的是128層堆疊256Gb的3D NAND快閃記憶體,年底將會量產32層堆疊64Gb的3D NAND快閃記憶體,而明年將會量產64層堆疊128Gb的3D NAND快閃記憶體。


紫光記憶體


目前紫光旗下記憶體還主要以DDR3為主,DDR4記憶體很大可能會在今年年底完成開發,並推向市場。對於普通使用者而言,想要買到紫光國產記憶體可能還需要等到明年或者更久。


紫光記憶體的意義非常重大,其不僅僅是簡單的記憶體產品,而是代表了中國在覈心技術方面進一步擺脫外國的限制,走上自主研發道路的結果。雖然此前已經有很多打著國產的旗號實施欺騙之實,但很明顯紫光是腳踏實地的一個。希望紫光能夠儘快量產DDR4記憶體,填補上國內DDR4記憶體方面的空白。
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